نمایندگی هاست و سرور مجازی از 10 کشور

 گزارش intel و tsmc درباره پیشرفت cfet ترانزیستور نسل بعدی به گزارش eeNewsEurope، اینتل و TSMC قرار است پیشرفت خود را در مورد ترانزیستورهای اثر میدان مکمل (CFETs) در کنفرانس بین‌المللی دستگاه‌های الکترونیکی (IEDM) رونمایی کنند. CFETها قرار است در دهه آینده جانشین ترانزیستورهای گیت همه جانبه (GAA) شوند. مفهوم CFET ها که شامل لایه بندی ترانزیستورهای نوع n و p بر روی یکدیگر است، ابتدا توسط موسسه تحقیقاتی IMEC در سال 2018 معرفی شد. در حالی که بیشتر مطالعات اولیه از محافل آکادمیک سرچشمه می‌گیرد، شرکت‌های تجاری مانند اینتل و TSMC اکنون به این عرصه ورود کرده‌اند و فعالانه در حال بررسی این نوع ترانزیستور نسل بعدی هستند.   اینتل محققان اینتل یک CFET سه بعدی یکپارچه ساخته‌اند که سه نانوروبان n-FET را در بالای سه نانوروبان p-FET ترکیب می‌کند و یک شکاف عمودی 30 نانومتری را حفظ می‌کند. ارائه اینتل با عنوان “نمایش یک اینورتر CMOS انباشته در پیچ گیت 60 نانومتری از طریق برق و تماس مستقیم دستگاه پشتی” مدارهای تست اینورتر عملکردی را با استفاده از CFET در گیت 60 نانومتری توصیف می کند. این طرح همچنین دارای اپیتاکسی دو منبع تخلیه با لایه عمودی و پشته های دروازه فلزی دوقلو است، و همچنین از انتقال برق پشتی PowerVia شرکت استفاده می کند.   TSMC برای اینکه از رقیب خود عقب نماند، TSMC روش عملی CFET خود را که برای فناوری منطقی طراحی شده و دارای گیت 48 نانومتری است، مورد بحث قرار خواهد داد. طراحی کارخانه ریخته‌گری بر ترانزیستورهای نانو ورق لایه‌ای نوع n که بر روی همتایان نوع p قرار گرفته‌اند، با نسبت جریان روشن / خاموش قابل‌توجهی که شش مرتبه بزرگی را در بر می‌گیرد، برجسته می‌شود., ...ادامه مطلب