نمایندگی هاست و سرور مجازی از 10 کشور

تاسیس اولین کارخانه تولید نیمه‌رسانای پیشرفته TSMC در ژاپن مراسم افتتاح رسمی اولین کارخانه تولید نیمه‌رسانای پیشرفته TSMC در ژاپن در تاریخ 24 فوریه 2024 برگزار خواهد شد و تولید تراشه‌ها در نیمه دوم سال 2024 آغاز می شود. به گزارش روزنامه China Times با استناد به منابع رسانه‌های ژاپنی، TSMC قرار است مراسم افتتاح رسمی برای اولین کارخانه خود در ژاپن را برگزار کند. این واحد تولید نیمه‌رساناها قادر به تولید تراشه‌ها با استفاده از فناوری‌های N28 (کلاس 28 نانومتر) شرکت TSMC خواهد بود و پیشرفته‌ترین کارخانه منطقی در سرزمین خورشید تابان خواهد بود. کارخانه ژاپنی TSMC در نزدیکی شهر کوماموتو، در جزیره کیوشو ژاپن واقع شده است. این واحد تولید نیمه‌رساناها قرار است وافرین‌ها را با استفاده از تنوعی از گره‌های تولیدی مشتق شده از فناوری N28 (کلاس 28 نانومتر) شرکت پردازش کند. با وجود تقاضای زیاد برای چنین پردازنده‌هایی در ژاپن با شرکت‌های قابل توجهی که در این حوزه‌ها فعالیت می‌کنند، هنوز هم تکنولوژی‌های این نوع پردازنده‌ها انتظار می‌رود برای مدت طولانی مورد استفاده قرار بگیرند، با توجه به عمر زندگی طولانی بسیاری از مدارهای مجتمع (ICs). TSMC در حال حاضر قرار است مراسم افتتاح رسمی را در تاریخ 24 فوریه برگزار کند و کارخانه در نیمه دوم سال 2024 به طور برنامه‌ریزی شده تولید تراشه‌ها را آغاز کند. شایعات حاکی از آن است که در نهایت، TSMC قصد دارد که یک کارخانه دیگر در ژاپن بسازد که قادر به پردازش وافرین‌ها (wafers) با استفاده از فناوری‌های مشتق شده از N16 شرکت TSMC، از جمله N16، N12 و N12e که به کلاس‌های 16 نانومتر و 12 نانومتر تعلق دارند، باشد. در حال حاضر، این واحد حدود 1400 نفر کارمند دارد و منتظر , ...ادامه مطلب

Core i9-14900HX بهبود جزئی را نسبت به Core i9-13900HX نشان می دهد اگرچه راپتور لیک اینتل که از بهترین پردازنده‌های رایانه‌های دسکتاپ هستند و ابتدا برای رایانه‌های دسکتاپ منتشر شدند اما ظاهراً قرار است زودتر از انتظار به لپ‌تاپ‌ها هم وارد شوند. این موضوع از طریق یک بنچمارک پردازنده Core i9-14900HX مشخص شده است. این تست گیک‌بنچ 6 (Geekbench 6) ظاهراً روی یک مدل منتشر نشده لپ‌تاپ پرداتور هلیوس 16 ( Predator Helios 16) انجام شده و اگرچه عملکرد آن خوب است اما بسیار بهتر از همان لپ‌تاپ با پردازنده Core i9-13900HX نیست. گیک‌بنچ 6 برای پردازنده Core i9-14900HX امتیاز تک‌هسته‌ای 2998 و چندهسته‌ای 17937 ثبت کرد و همچنین تایید کرد که این پردازنده ساختار 8+16 هسته‌ای دارد و حداکثر سرعت (boost clock) آن 5.6 گیگاهرتز است. پردازنده Core i9-14900HX نتوانست  مسیر نمونه رومیزی 14900K را دنبال کند که امتیازات تک‌هسته‌ای 3186 و چندهسته‌ای 20961 را کسب کرد. این موضوع در تضاد با یک بنچمارک از پردازنده Core i7-14700HX است که نشان می‌داد عملکردی برابر با Core i7-14700K دارد.   مشخصات Core i9-14900HX معرفی پردازنده‌ی جدید اینتل کورآی ۹-۱۴۹۰۰HX برای لپ‌تاپ‌ها باعث شد تا انتظارات زیادی از بهبود عملکرد آن وجود داشته باشد. اما بررسی‌های اولیه نشان می‌دهد که تفاوت عملکردی این پردازنده با مدل قبلی اینتل کور ای۹-۱۳۹۰۰HX تفاوت زیادی ندارد. برای بررسی عملکرد این پردازنده جدید، نتایج تست‌های بنچمارک گیک‌بنچ ۶ روی لپ‌تاپ Acer Predator Helios 16 مدل مجهز به پردازنده کور ای۹-۱۳۹۰۰HX بررسی شد. بر اساس جستجو در این نتایج، بالاترین امتیاز تک‌هسته‌ای حدود ۲۹۰۰ و بالاترین امتیاز چندهسته‌ای حوالی ۱۷۶۱۶ بدست, ...ادامه مطلب

 گزارش intel و tsmc درباره پیشرفت cfet ترانزیستور نسل بعدی به گزارش eeNewsEurope، اینتل و TSMC قرار است پیشرفت خود را در مورد ترانزیستورهای اثر میدان مکمل (CFETs) در کنفرانس بین‌المللی دستگاه‌های الکترونیکی (IEDM) رونمایی کنند. CFETها قرار است در دهه آینده جانشین ترانزیستورهای گیت همه جانبه (GAA) شوند. مفهوم CFET ها که شامل لایه بندی ترانزیستورهای نوع n و p بر روی یکدیگر است، ابتدا توسط موسسه تحقیقاتی IMEC در سال 2018 معرفی شد. در حالی که بیشتر مطالعات اولیه از محافل آکادمیک سرچشمه می‌گیرد، شرکت‌های تجاری مانند اینتل و TSMC اکنون به این عرصه ورود کرده‌اند و فعالانه در حال بررسی این نوع ترانزیستور نسل بعدی هستند.   اینتل محققان اینتل یک CFET سه بعدی یکپارچه ساخته‌اند که سه نانوروبان n-FET را در بالای سه نانوروبان p-FET ترکیب می‌کند و یک شکاف عمودی 30 نانومتری را حفظ می‌کند. ارائه اینتل با عنوان “نمایش یک اینورتر CMOS انباشته در پیچ گیت 60 نانومتری از طریق برق و تماس مستقیم دستگاه پشتی” مدارهای تست اینورتر عملکردی را با استفاده از CFET در گیت 60 نانومتری توصیف می کند. این طرح همچنین دارای اپیتاکسی دو منبع تخلیه با لایه عمودی و پشته های دروازه فلزی دوقلو است، و همچنین از انتقال برق پشتی PowerVia شرکت استفاده می کند.   TSMC برای اینکه از رقیب خود عقب نماند، TSMC روش عملی CFET خود را که برای فناوری منطقی طراحی شده و دارای گیت 48 نانومتری است، مورد بحث قرار خواهد داد. طراحی کارخانه ریخته‌گری بر ترانزیستورهای نانو ورق لایه‌ای نوع n که بر روی همتایان نوع p قرار گرفته‌اند، با نسبت جریان روشن / خاموش قابل‌توجهی که شش مرتبه بزرگی را در بر می‌گیرد، برجسته می‌شود., ...ادامه مطلب