نمایندگی هاست و سرور مجازی از 10 کشور

معرفی حافظ های قابل حمل Bar Plus و Fit Plus از سامسونگ شرکت سامسونگ الکترونیک به عنوان یکی از پیشگامان صنعت فناوری، اقدام به ارائه محصولات جدید و پیشرفته خود در حوزه حافظه های قابل حمل کرده است. اخیراً، سامسونگ الکترونیک نسخه های 512 گیگابایتی از درایوهای فلش USB 3.2 Gen1 خود با نام های Bar Plus و Fit Plus را به بازار عرضه کرده است. این درایوها با قیمت 79.99 دلار، سرعت خواندن تا 400 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن تا 110 مگابایت بر ثانیه را ارائه می دهند. این به کاربران امکان می دهد که یک فیلم 3 گیگابایتی 4K UHD را در عرض 10 ثانیه به رایانه خود منتقل کنند. درایوهای فلش Bar Plus و Fit Plus سامسونگ با طراحی مناسب و مقاوم در برابر شرایط سخت محیطی ساخته شده اند. آنها دارای محافظت در برابر آب، دمای شدید، اشعه ایکس، قطره ها و اثرات مغناطیسی هستند و از داده های کاربران در شرایط مختلف محافظت می کنند. Bar Plus و Fit Plus با سیستم عامل های ویندوز، مک و لینوکس سازگار بوده و می توانند در انواع دستگاه های مختلف از جمله لپ تاپ، تبلت، تلویزیون، سیستم های صوتی خودرو و کنسول های بازی مورد استفاده قرار گیرند. علاوه بر مدل های Bar Plus و Fit Plus سامسونگ اعلام کرده است که در آینده نزدیک یک درایو فلش USB Type-C 512GB را نیز به بازار عرضه خواهد کرد. این اقدام نشان دهنده تلاش مداوم این شرکت برای گسترش پیشنهادات خود در حوزه ذخیره سازی قابل حمل با ظرفیت بالا است. در مجموع، ارائه این محصولات جدید مانند Bar Plus و Fit Plus توسط سامسونگ الکترونیک، گامی مهم در راستای ارتقای تجربه کاربری و پاسخگویی به نیازهای روزافزون مشتریان در عصر دیجیتال امروز محسوب می شود. این محصولات با ویژگی های پیشرفته و مقاوم خود, ...ادامه مطلب

مشخصات حافظه GPU نسل بعدی انویدیا GeForce RTX 50 Blackwell به بیرون درز کرد سری گرافیکی RTX 50 (Blackwell) شرکت Nvidia به منظور رقابت با بهترین کارت‌های گرافیکی در حال آماده‌سازی است. از برخی اطلاعاتی که پیش‌تر منتشر شده بوده، مشخص شده است که شرکت قصد دارد با استفاده از GPU جدید خود با نام GB202 مبتنی بر معماری Blackwell، از رابط حافظه 384 بیتی استفاده کند. احتمالاً Blackwell اولین خانواده‌ای خواهد بود که از حافظه GDDR7 پشتیبانی می‌کند، که نرخ انتقال داده‌های بالاتر و ویژگی‌های معماری آن قول افزایش قابل توجه عملکرد نسبت به راه‌حل‌های حافظه مبتنی بر GDDR6 و GDDR6X فعلی را می‌دهد. با توجه به اینکه تراشه‌های اولیه GDDR7 SGRAM نرخ انتقال داده 32 گیگابایت بر ثانیه را دارند، زیرسیستم حافظه 384 بیتی که از این تراشه‌ها استفاده می‌کند، حدود 1,536 گیگابایت بر ثانیه پهنای باند ارائه خواهد داد، بنابراین تمام پهنای باند رابط حافظه 512 بیتی به سختی به کار خواهد رفت. اگرچه هنوز هم ابهاماتی درباره رابط 512 بیتی وجود دارد، اما تنظیمات رابط حافظه GB20x از تنظیمات AD10x زیادی متفاوت نیست. شرکت Micron اعلام کرده است که تراشه‌های 16 گیگابیتی و 24 گیگابیتی از حافظه GDDR7 در سال 2025 در دسترس قرار خواهند گرفت، اگرچه نقشه‌ راه آن نشان نمی‌دهد که آیا این دستگاه‌ها همزمان عرضه خواهند شد یا تراشه‌های 16 گیگابیتی ابتدا عرضه خواهند شد. به همین دلیل، چیزی که باقی می‌ماند این است که آیا Nvidia از تراشه‌های 16 گیگابیتی یا 24 گیگابیتی حافظه GDDR7 با کارت‌های گرافیکی اولیه خود از خانواده GeForce RTX 50 استفاده خواهد کرد، یا خیر. پیکربندی حافظه گرافیکی Blackwell سری GeForce RTX 50 Blackwell GPU پهنای باند, ...ادامه مطلب

معرفی SSD مرموز Z1000 شرکت مایکروسافت، رازهای گسترده‌تری را فاش می‌کند یکی از اخبار جدید در دنیای فناوری، لو رفتن اس‌اس‌دی مرموز Z1000 از شرکت مایکروسافت است که بر اساس اطلاعاتی که توسط @yuuki_ans (لینک خبر) در X منتشر شده، این درایو دارای مشخصات فنی خاصی می‌باشد. اس‌اس‌دی مایکروسافت از قطعات تولید شده توسط شرکت‌های مختلف استفاده می‌کند: تراشه‌های فلش NAND از توشیبا، حافظه نهان DDR4 از میکرون، و کنترل‌گر از CNEX Labs. ما نمی‌توانیم با اطمینان بگوییم که این اس‌اس‌دی برای چه منظوری استفاده خواهد شد، اما احتمالاً برای مراکز داده و سرورها طراحی شده است و به عنوان یک محصول خرده‌فروشی عرضه نخواهد شد. با این حال، قطعات استفاده شده و عدم وجود برخی از آنها، نشان می‌دهد که این نمونه جزو پرتفوی اس‌اس‌دی‌های مایکروسافت است. اس‌اس‌دی Z1000 دارای 960 گیگابایت فضای ذخیره‌سازی است که به لطف چهار تراشه 256 گیگابایتی توشیبا BiCS4 96 لایه‌ای eTLC (TH58LJT1V24BA8H) آن امکان پذیر شده است. فرد منتشرکننده، نسخه PCIe این اس‌اس‌دی را مشخص نکرده است، اما اگر از نسخه PCIe 4.0 استفاده شده باشد، ممکن است با عملکرد قابل توجهی روبه‌رو باشیم. کنترل‌گر ssd cnx-2670aa-cb2t توسط cnex labs تولید شده است، یک شرکت خصوصی که در سال 2013 تأسیس شده است. همچنین می‌توانیم جزئیات بیشتری را از برچسب روی z1000 بدست آوریم. این امر تقریباً به معنای آن است که Z1000 یک اس‌اس‌دی PCIe 5.0 نیست، زیرا تا اواخر سال 2020، فناوری ذخیره‌سازی PCIe 5.0 هنوز در مراحل ابتدایی خود بود. آنچه در برد نیست نیز جالب است. در تصاویر سه و چهار که با مشاهده توییت بالا می‌توانید آن را ببینید، می‌توانیم نقاط نصب BGA اضافی برای یک تراشه DRAM اضافی, ...ادامه مطلب

اطلاعات ارزشمند خود را روی هر حافظه USB و MicroSD ذخیره نکنید یک شرکت بازیابی داده به نام cbl گزارش داده است که تراشه‌های حافظه موجود در کارت‌های microsd و usb های اخیراً ممکن است بی‌نظم و ناپایدار باشند. شرکت می‌گوید که در کسب و کار خود، با یافتن تعداد بیشتری دستگاه با تراشه‌های حافظه کوتاه شده با نام تولید کننده حذف شده و حتی USBهایی که از کارت MicroSD دوباره استفاده شده که به برد جوش داده شده‌اند، روبه‌رو شده است. CBL به این نتیجه رسیده است که دستگاه‌های فلش قابل حمل از کیفیت بدتری رنج می‌برند. “وقتی که ما سال گذشته USB های معیوب را باز کردیم، تعدادی قابل توجهی از تراشه‌های حافظه با ظرفیت کاهش یافته و لوگوی تولید کننده از روی تراشه حذف شده را پیدا کردیم.” اینها توضیحات کنراد هاینیکه، مدیرعامل شرکت CBL Datenrettung GmbH است. CBL معتقد است که این تراشه‌های فلش NAND با کیفیت پایین احتمالاً توسط شرکت‌های قابل اطمینان مانند SanDisk و Samsung تولید شده اند، اما در کنترل کیفیت شکست خورده‌اند. این تراشه‌ها کاملاً خراب نیستند، اما CBL تاکید دارد که این حافظه ها با ظرفیت ذخیره‌سازی کاهش یافته همراه هستند، که نشان می‌دهد کاهش ظرفیت نحوه راه نجات آن‌ها بوده است. CBL حتی عکس‌هایی از سه USB را در کسب و کار بازیابی داده‌های خود ارائه داده است. یکی از آن‌ها حتی از کارت microSD سیاه جوش داده شده به برد استفاده کرده است، که یک روش رایج برای تولید اقتصادی (و شاید به شکل مشکوک) USB ها است. بیشتر USB های با کیفیت پایین “هدایای تبلیغاتی” بودند، طبق گفته CBL، اما برخی از آن‌ها “محصولات برند” بودند. USB ها می‌توانند به اشکال مختلفی آمده باشند: آن‌هایی که شما , ...ادامه مطلب

معرفی GPU اقتصادی AMD با دو برابر حافظه نسب به RX 7600 و RTX 4060 – RX 7600 XT در این روزها، شایعات و اطلاعات مربوط به کارت‌های گرافیک جدید از سوی شرکت AMD مورد توجه قرار گرفته‌اند. یکی از این اخبار، مربوط به کارت گرافیک RX 7600 XT با حافظه 16 گیگابایتی GDDR6 می‌باشد که به نظر می‌رسد بیشتر از حافظه 12 گیگابایتی که GPU Radeon RX 7700 XT دارد و برابر با حافظه Radeon RX 7800 XT است. این اطلاعات از پایگاه داده یونیون اقتصادی یوراسیا (EEC) که به صورت اختصاصی توسط Harukaze5719 منتشر شده است، به دست آمده است. این مدل خاص به نظر می‌رسد Gigabytes Aorus RX 7600 XT OC است و حتی با 16 گیگابایت حافظه VRAM عرضه می‌شود. مهم است که بدانید تمام محصولات موجود در EEC به بازار عرضه نمی‌شوند. قبلاً لیست‌های دیگری برای Radeon RX 7600 XT در پایگاه داده EEC وجود داشته است، اما این لیست‌ها به وریانت‌های 10 گیگابایتی و 12 گیگابایتی از Radeon RX 7600 XT اشاره داشته‌اند. در مورد پوشش محصول، 10 گیگابایت بهترین گزینه به نظر می‌رسد زیرا این امکان را فراهم می‌کند که Radeon RX 7600 XT بین Radeon RX 7600 با 8 گیگابایت و Radeon RX 7700 XT با 12 گیگابایت حافظه قرار بگیرد. اما 16 گیگابایت به نظر می‌رسد که از Radeon RX 7700 XT عبور کرده و GPU Radeon RX 7600 XT را با Radeon RX 7800 XT هم‌سطح می‌کند. ظرفیت حافظه 16 گیگابایتی نشان‌دهنده‌ی طراحی قدرتمند GPU 7600 XT است. از آنجا که تراشه گرافیکی Navi 33 مورد استفاده در داخل Radeon RX 7600 به طور کامل فعال شده است و نمی‌تواند GPU با هسته‌های بیشتر را پشتیبانی کند، به احتمال زیاد AMD برای Radeon RX 7600 XT از طراحی چیپلت استفاده می‌کند، همانطور که برای Radeon RX, ...ادامه مطلب

هزینه 1.5 میلیارد دلاری Nvidia برای پیش خرید حافظه HBM3E گزارش شده که شرکت Nvidia در رقابتی برای تأمین تامین مواد اولیه حافظه برای GPU های هوش مصنوعی نسل بعدی H200، مبلغ 1.54 میلیارد دلار از حافظه HBM3E را پیش خرید کرده است. اگر شما بیشتر از هر کس دیگری در صنعت پردازنده‌های کاربردی هوش مصنوعی (AI) و محاسبات با عملکرد بالا (HPC) را بفروشید و می‌خواهید این وضعیت را حفظ کنید، باید از تأمین پایدار محصولات خود اطمینان حاصل کنید. نشریه کره‌ای Chosun Biz گزارش داده است که شرکت Nvidia بیش از 1.3 میلیارد دلار از حافظه HBM3 را از شرکت‌های Micron و SK Hynix پیش خرید کرده است. بر اساس گفتگوهای این نشریه، Nvidia پرداخت‌های پیش‌پرداختی از 700 میلیارد تا یک تریلیون وون کره‌ای (حدود 540 تا 770 میلیون دلار) به Micron و SK Hynix انجام داده است. در حالی که اطلاعات خاصی درباره مقصد پرداخت‌ها وجود ندارد که می‌تواند بین 1.080 میلیارد تا 1.54 میلیارد دلار باشد، اما به طور گسترده ای شایع است که هدف این پرداخت‌ها تأمین تامین مواد اولیه حافظه HBM3E برای انتشارات آینده 2024 AI و HPC GPU های آن است. Nvidia در حال افزایش تولید دو محصول با حافظه HBM3E است: GPU H200 AI و HPC با 141GB حافظه HBM3E و پلتفرم GH200 با CPU Grace و یک GPU H200 با 141GB حافظه HBM3E. در واقع، نرمال نیست که سازندگان GPU محصولات گرانقیمت حافظه را از تأمین‌کنندگان خود پیش خرید کنند زیرا آسان‌تر است که GPU های پیشرفته با حافظه فروخته شوند، به ویژه به سازندگان کارت‌های گرافیک کوچکتر. در مورد GPU های AI و HPC برای محاسبات، Nvidia تمایل دارد که کارت‌های PCIe و ماژول‌های SXM تمام شده را بفروشد به جای فقط تراشه GPU، بنابراین منطقی است که , ...ادامه مطلب

اس کی هاینکس روش انقلابی در بسته‌بندی حافظه fan-out را با ترکیبی از I/O وسیع با هزینه پایین راه‌اندازی می‌کند! گزارش شده اس‌کی هاینکس بر روی یک نوع جدید از حافظه کار می‌کند که ترکیبی از رابطه وسیع با هزینه‌های پایین‌تر نسبت به HBM solutions خواهد بود. در مرکز فناوری اس‌کی هاینکس، یک ایده ساده اما موثر قرار دارد: قرار دادن دو دستگاه حافظه درام کنار هم و ادغام آنها به عنوان یک واحد با استفاده از روش بسته‌بندی سطح تخته‌ای فن‌اوت 2.5D. این کار نیاز به لایه اضافی زیر دستگاه‌ها (که برای دستگاه‌های حافظه دو تراشه‌ای مورد استفاده قرار می‌گیرند) را از بین می‌برد که منجر به ظهور تراشه‌های باریک‌تر و ساخت یک دستگاه حافظه با رابطه وسیع‌تر می‌شود.این تغییر بزرگی نسبت به روش معمول ساخت تراشه‌های حافظه چند تراشه‌ای است. این نشان‌دهنده حرکت اس‌کی هاینکس به سمت روش‌های جدیدی است که می‌تواند ترکیبی از رابطه‌های وسیع و بهره‌وری هزینه را داشته باشد. در حال حاضر دستگاه‌های حافظه GDDR6 و LPDDR5X با یک واسطه 32 یا 64 بیتی ارائه می‌شوند، در حالی که پشته‌های HBM از یک واسطه 1024 بیتی بهره می‌برند که از نظر پهنای باند اوجی بسیار بالاتری نسبت به سرعت انتقال داده‌های پایین‌تری برخوردار هستند. با این حال، برای ساخت یک دستگاه HBM، شرکت‌هایی مانند اس‌کی هاینکس باید چندین دستگاه حافظه را روی هم قرار دهند، در این روش حافظه ها با استفاده از TSVها به هم متصل شذه و روی یک لایه پایه قرار می گیرند و سپس آن‌ها را به کمک یک اینترپوزر به پردازنده میزبان متصل می کنند. با توجه به پیچیدگی‌های موجود، HBM بسیار گران قیمت است. به همین دلیل استفاده از آن بیشتر در حوزه دیتاسنتر و سرویس‌های ارتباطی انجام می‌شود – و د, ...ادامه مطلب

احتمالا پردازنده گرافیکی پرچمدار آینده انویدیا با معماری Blackwell مجهز به حافظه GDDR7 با سیستم باس 384 بیت خواهد بود منبع معتبر سخت‌افزاری به نام kopite7kimi پیش‌بینی اولیه خود را در مورد استفاده احتمالی پردازنده گرافیکی پرچمدار آینده انویدیا با معماری Blackwell از سیستم باس 512 بیتی را تصحیح کرد. بر خلاف پیش‌بینی اولیه، این پردازنده گرافیکی به نام GB202 همچنان از سیستم باس 384 بیتی استفاده خواهد کرد اما از نوع حافظه GDDR7 بهره می‌برد. پردازنده گرافیکی GB202 انویدیا که مبتنی بر معماری Blackwell است، ظاهرا تا 24,576 هسته CUDA را در خود جای می‌دهد که نسبت به پردازنده گرافیکی فعلی AD102 با 18,432 هسته CUDA، افزایش 33 درصدی دارد. شایعات حاکی از آن است که انویدیا از یکی از فرایندهای ساخت 3 نانومتری TSMC برای تولید پردازنده‌های مبتنی بر معماری Blackwell استفاده خواهد کرد. البته هنوز مشخص نیست که آیا انویدیا و TSMC از فرایندهای 3 نانومتری سفارشی برای پردازنده‌های گرافیکی استفاده خواهند کرد یا از فرآیند پیش‌فرض استفاده می‌کنند. بازبینی ارزیابی از RTX 5090/5080 انویدیا kopite7kimi در پست بعدی خود نوشت:”به نظر می‌رسد من در ارزیابی اولیه‌ام اشتباه کرده‌ام. به اشتباه نسبت L2 کَش و کنترلر حافظه‌ی Ada Lovelace’s را به گرافیک‌پردازنده‌ی Blackwell در نظر گرفتم که منجر به اشتباه درباره‌ی ساختار 512 بیتی حافظه‌ی GB202 شد.” هنگامی که از او درباره‌ی احتمال داشتن ساختار 384 بیتی برای GB202 پرسیدند، پاسخ مثبت داد و توضیح داد که این گرافیک‌پردازنده از GDDR7 هم استفاده خواهد کرد. گرچه ساختار 512 بیتی امکان افزایش چشمگیر پهنای باند حافظه را برای کارت‌های گرافیکی نسل آینده , ...ادامه مطلب

امکان دسترسی مستقیم به حافظه کش سطح سوم پردازنده‌های AMD Ryzen 3D V-Cache برای ایجاد رم دیسک یکی از نکات جالب در مورد پردازنده‌های اخیر AMD با قابلیت 3D V-Cache، امکان دسترسی مستقیم به حافظه کش سطح سوم این پردازنده‌ها برای ایجاد یک رم دیسک می‌باشد. در یک عکس اشتراک گذاشته شده مشاهده شد که یک رم دیسک که روی پردازنده AMD Ryzen 7 7800X3D اجرا می شود، توانسته سرعت‌های باورنکردنی 178 گیگابایت بر ثانیه برای خواندن دنباله‌ای و 163 گیگابایت بر ثانیه برای نوشتن دنباله‌ای را در برنامه CrystalDiskMark به دست آورد. این مسئله باعث شک و تردید شد زیرا برای اجرای این بنچمارک باید بتوان حافظه کش سطح سوم را به صورت دیسک توده‌ای درآورد. حجم مدعی شده برای رم دیسک (508 مگابایت) از حجم حافظه کش سطح سوم روی پردازنده Ryzen 7 7800X3D (96 مگابایت) بیشتر بود. به نظر می‌رسد که AMD امکان دسترسی مستقیم به حافظه کش سطح سوم را فراهم کرده تا بتوان با استفاده از آن یک رم دیسک بسیار سریع ایجاد کرد که حتی از سریع‌ترین دیسک‌های SSD PCIe نیز سریع‌تر عمل می‌کند. این امر نشان‌دهنده قدرت بالای معماری 3D V-Cache در پردازنده‌های AMD می‌باشد. روشی برای استفاده از 3D V-Cache به عنوان یک رم دیسک معمولاً فکر می‌کنیم که 3D V-Cache تنها برای افزایش عملکرد پردازشگر کاربرد دارد اما به نظر می‌رسد روش مناسبی برای استفاده از آن به عنوان یک رم دیسک نیز وجود دارد. نمز، کاربری در شبکه اجتماعی ایکس، این روش را کشف کرده است. وی در فوریه گذشته مراحل ایجاد یک رم دیسک با استفاده از 3D V-Cache را توضیح داد اما ظاهراً این موضوع تاکنون زیر ذره‌بین قرار نگرفته بود. نتایج بدست آمده از این روش حتی از روش قبلی نیز بهتر بود و میزان خواندن و ن, ...ادامه مطلب

Samsung می گوید V-NAND جدید با 300 لایه، برای سال 2024 در راه است سامسونگ به‌عنوان بزرگ‌ترین تامین‌کننده حافظه NAND در جهان، برنامه‌های بزرگی برای توسعه V-NAND خود (که این شرکت آن را 3D NAND می‌نامد) دارد – که برخی از آنها را این هفته به اشتراک گذاشت. این شرکت تایید کرد که در مسیر تولید حافظه V-NAND نسل نهم خود با بیش از 300 لایه در سال 2024 است و گفت که بیشترین تعداد لایه های فعال را در صنعت خواهد داشت. Jung-Bae Lee، مدیر و رئیس کسب و کار حافظه در Samsung Electronics در این باره نوشت: «نسل نهم V-NAND برای تولید انبوه در اوایل سال آینده با بالاترین تعداد لایه‌های صنعت بر اساس ساختار دو پشته‌ای به خوبی در راه است. در ماه آگوست متوجه شدیم که سامسونگ در حال کار بر روی نسل نهم V-NAND با بیش از 300 لایه است که فناوری دو پشته‌ای را که برای اولین بار توسط سامسونگ در سال 2020 پذیرفته شد حفظ خواهد کرد. سامسونگ نه تنها تایید کرد که با حافظه غیرفرار نسل بعدی خود در راه است، بلکه گفته می شود که لایه های فعال تری نسبت به حافظه 3D NAND رقبا خواهد داشت. تا کنون می دانیم که نسل بعدی 3D NAND SK Hynix دارای 321 لایه فعال خواهد بود، بنابراین به نظر می رسد که سامسونگ انتظار دارد حافظه آن بیشتر باشد.   افزایش تعداد لایه ها، سامسونگ را قادر می سازد تا تراکم ذخیره سازی دستگاه های 3 بعدی NAND خود را افزایش دهد. این شرکت انتظار دارد که انواع حافظه های فلش آینده نه تنها تراکم ذخیره سازی، بلکه عملکرد بالایی را نیز به دست آورند. Jung-Bae Lee می‌گوید: «سامسونگ همچنین روی نسل بعدی فناوری‌های ارزش‌آفرین کار می‌کند، از جمله ساختار جدیدی که سرعت ورودیخروجی (IO) V-NAND را به حداکثر می‌رساند.   ما , ...ادامه مطلب

لینک خبر سامسونگ انتظار دارد تا سال 2025 حافظه HBM4 وارد بازار بشود ما در چند ماه گذشته بارها در مورد حافظه hbm4 شنیده ایم و این هفته سامسونگ فاش کرد که انتظار دارد hbm4 تا سال 2025 معرفی شود. حافظه جدید دارای یک رابط 2048 بیتی در هر پشته است که دو برابر پهنای 1024 بیتی HBM3 است. سانگ جون هوانگ، EVP و رئیس محصول DRAM می گوید:”با نگاهی به آینده، انتظار می‌رود HBM4 تا سال 2025 با فناوری‌های بهینه‌سازی شده برای خواص حرارتی بالا، مانند مونتاژ فیلم غیر رسانا (NCF) و پیوند مسی هیبریدی (HCB) معرفی شود. و تیم فناوری در Samsung Electronics، در یک پست وبلاگ شرکت نوشت.اگرچه سامسونگ انتظار دارد HBM4 تا سال 2025 معرفی شود، اما احتمالاً تولید آن در سال‌های 2025 تا 2026 آغاز خواهد شد، زیرا صنعت باید آمادگی زیادی برای این فناوری داشته باشد. در همین حال، سامسونگ پشته های حافظه HBM3E خود را با نرخ انتقال داده 9.8 GTs که پهنای باند 1.25 ترابایت بر ثانیه در هر پشته را ارائه می دهد، به مشتریان خود عرضه می کند. در اوایل سال جاری، Micron فاش کرد که حافظه «HBMNext» در حدود سال 2026 ظاهر می‌شود و ظرفیت‌های هر پشته بین 32 گیگابایت تا 64 گیگابایت و حداکثر پهنای باند 2 ترابایت بر ثانیه در هر پشته یا بالاتر را ارائه می‌دهد – افزایش قابل توجهی از 1.2 ترابایت بر ثانیه HBM3E در هر پشته رای ساخت یک پشته 64 گیگابایتی، به یک پشته 16-Hi با دستگاه های حافظه 32 گیگابایتی نیاز دارید. اگرچه پشته های 16-Hi حتی با مشخصات HBM3 پشتیبانی می شوند، هیچ کس تا کنون چنین محصولاتی را معرفی نکرده است و به نظر می رسد که چنین پشته های متراکمی فقط با HBM4 وارد بازار می شوند. برای تولید پشته های حافظه HBM4، از جمله , ...ادامه مطلب

حافظه NVMe مشابه معماری پردازنده‌ها با عملکرد بالا، با استفاده از مسیر‌های موازی با تاخیر کم به media های زیرین می‌رسد. این فناوری در مقایسه با پروتکل‌های قدیمی SAS و SATA عملکرد به مراتب بهتر و تاخیر بسیار کمتری دارد. این امر نه تنها سبب شتاب‌دهی و , ...ادامه مطلب